台积电 2nm 预计 2025 年量产，业界看好其领先三星和英特尔

据台媒《经济日报》报道，晶圆代工厂台积电 2nm 制程将于 2025 年量产，市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。

台积电先进制程进展顺利，3nm 将在今年下半年量产，升级版 3nm（N3E）制程将于 3nm 量产一年后量产，即 2023 年量产，2nm 预计于 2025 年量产。

台积电 2nm 厂将落地竹科宝山二期扩建计划，“竹科管理局”已展开公共设施建设，台积电 2nm 厂也开始进行整地作业。

台积电 2nm 首次采用纳米片架构，相较 N3E 制程，在相同功耗下频率可提升 10% 至 15%。在相同频率下，功耗降低 25% 至 30%。

台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调，台积电 2nm 将会是密度最优、效能最好的技术。市场也看好，台积电 2nm 进度将领先对手三星及英特尔。

IT之家了解到，此前消息称，虽然在 3nm 世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电 2nm 先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 高端架构生产 2nm 芯片。