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在现代电力电子技术中,宽禁带半导体材料如碳化硅(sic)和氮化镓(gan)正在逐渐取代传统的硅(si)材料,为高效能、高频率和高温环境下的电子设备带来了革命性的变化。与此同时,绝缘栅双极晶体管(igbt)和智能功率模块(ipm)依然在高功率应用中扮演着重要角色。
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