近些年,随着电动汽车以及其他系统的增长,碳化硅(SiC)功率半导体市场正在经历需求的突然激增,因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下,SiC的争夺战正一触即发!
2019-05-15 11:15:11
SiC是第三代半导体材料的代表。以硅而言,目前SiMosfet应用多在1000V以下,约在600~900V之间,若超过1000V,其芯片尺寸会很大,切换损耗、寄生电容也会上升。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于,降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC功率器件的损耗是Si器件的50%左右。SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。
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