元坤智造 宇航芯片 抗辐射64Kbt1256Kbit可重复编程存储器 YK28C64RH

抗辐射64Kbt1256Kbit可重复编程存储器电路YK28C64RH/YK28C256RH是在5V工作条件下，可重复编程、擦除使用的存储器，并能实现数据存储后的读取功能。

当片选为低电平，且编程使能为高电平时，若输出使能信号为低电平，数据被读出，并被输出到8位I/0端口，若读操作时输出使能信号为高电平，I/O端口为高阻态。

主要特点

◎ 工作电压：5V±10%                                                      

◎ 抗辐射指标：总剂量:100K Rad (Si)

                        单粒子闩锁阈值:75Mev-/mg

                       单粒子翻转阈值:37MeV-/mg

◎ 读写时间：60ns                                                                             

◎ 三态双向数据总线                                                              

◎ 专用编程器编程                                                 

◎ 封装形式： CDIP28 (YK28C64RH/YK28C256RH)

                     CFP28(YK28C256RH)

◎ ESD等级:2000v