芯片制造工艺的流程

芯片制作完整过程包括：芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片片制作过程尤为的复杂。下面图示让我们共同来了解一下芯片制作的过程，尤其是晶片制作部分。

• 首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”。

• 制作晶圆。使用晶圆切片机将硅晶棒切割出所需厚度的晶圆。

• 晶圆涂膜。在晶圆表面涂上光阻薄膜，该薄膜能提升晶圆的抗氧化以及耐温能力。

• 晶圆光刻显影、蚀刻。使用紫外光通过光罩和凸透镜后照射到晶圆涂膜上，使其软化，然后使用溶剂将其溶解冲走，使薄膜下的硅暴露出来。

• 离子注入。使用刻蚀机在裸露出的硅上刻蚀出N阱和P阱，并注入离子，形成PN结（逻辑闸门）；然后通过化学和物理气象沉淀做出上层金属连接电路。

• 晶圆测试。经过上面的几道工艺之后，晶圆上会形成一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。

• 封装。将制造完成的晶圆固定，绑定引脚，然后根据用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外在因素采用各种不同的封装形式；同种芯片内核可以有不同的封装形式。

制造芯片主要就是在晶圆片上不断累加图案，让图案纵向连接，非常多层，会有100多层。并且需要花费许多的时间，从设计到量产可能需要四个月的时间。