英飞凌推出全新车规级750 V EDT2 IGBT

3月21日，英飞凌科技股份公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质，EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计，所用技术已成功应用于EasyPACK? 2B EDT2和HybridPACK?等多款逆变器模块。

为了满足目标应用的要求，英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外，它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离，更有利于进行系统设计。同时，EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化，击穿电压为750 V，可支持高达470 VDC的电池电压，并显著降低开关和导通损耗。

分立式EDT2 IGBT在100°C的温度条件下运行时，额定电流通常为120 A或200 A，这两款型号均具有极低的正向电压，相比上一代产品，导通损耗降低了13%。其中，额定电流为200 A的AIKQ200N75CP2，在采用TO247Plus封装的分立式IGBT产品中堪称出类拔萃。因此，仅需少量的并联器件，便可实现既定的目标功率等级，同时还可提高功率密度，降低系统成本。

此外，EDT2 IGBT的参数分布非常紧凑。集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）的典型值与最大值之间相差不足200 mV，栅极阈值电压（VGEth）也相差不到750 mV。而且饱和电压为正温度系数。总之，这些特性有助于轻松实现并联运行，从而提高最终设计的系统灵活性和功率可扩展性。除此之外，这款IGBT器件还拥有平稳的开关特性、低栅极电荷（QG）和175°C的最高结温温度（Tvjop）等优点。