三星电子P3晶圆厂下月开始建设 将大量采用EUV生产

据韩国媒体《The ELEC》报道，三星位于平泽市的P3晶圆厂将于5月开始安装设备，并持续到7月，较原计划时程提前一个月，整个芯片厂则将在2022年下半年建设完成。

三星平泽市P3晶圆厂于2020年开始建设，占地70万平方米，将成为全球最大晶圆厂厂区，是三星P2晶圆厂1.7倍。当然，工厂的投资也会相当庞大，他们计划未来几年最少投资30万亿元，最多则投资50万亿韩元，也就是至少投资240亿美元，最高投资400亿美元。

报道强调，三星在平泽市构建的P3芯片厂，预计规划为一座既生产内存，又进行逻辑芯片代工制造的芯片厂。其中，最新投资生产的将会是NAND Flash闪存，随后是则会是DRAM，最后上限的将会是采用3纳米制程技术的芯片制造与代工的生产线。而就因为三星平泽P3芯片厂将率先开始生产NAND Flash闪存，也就代表着工厂设备的安装将从NAND Flash闪存的生产设备开始，而该生产设备将自2022年的5月份第一周就将开始进行安装工程。

另外，值得注意的是，三星平泽的这一座大型芯片厂将大量采用极紫外曝光设备(EUV) 来进行生产工作。其中，在NAND Flash闪存的生产线中，将采用EUV生产第7代176层堆栈的V-NAND闪存，而在预计进行芯片代工及生产的3纳米制程技术产线上，也将需要EUV来进行生产工作。