安森美发布GaNEXUS氮化镓功率产品组合

安森美（onsemi）推出 GaNEXUS™ 氮化镓（GaN）功率产品组合，赋能 AI 数据中心与工业基础设施实现更高能效与功率密度

中国上海，2026年6月10日——安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）今日宣布推出全新 GaNEXUS™ 氮化镓（GaN）功率产品组合。该系列专为满足人工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等应用对更高能效、更高功率密度及更优热性能的严苛需求而设计。首批产品包括覆盖 40V 至 650V 电压范围的 GaNEXUS FET 样品，以及集成保护功能的 650V GaN FET——GaNEXUS Smart 器件，可简化系统集成并提升整体可靠性。

新闻亮点

• 安森美      GaNEXUS 产品组合为下一代电源架构带来更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能；

• 覆盖      40V–650V 的 GaNEXUS FET 及集成保护功能的 650V GaNEXUS Smart 器件现已开始提供样品；

• 结合安森美      Treo 平台（集成感知、控制、保护和电源管理功能），GaNEXUS 可实现更智能、更可靠、更稳健的系统级电源解决方案；

• 与安森美现有硅基器件及 EliteSiC® 碳化硅技术形成互补，为客户优化整个电力传输链的能效、热性能、系统尺寸及总成本提供更大灵活性。

产品应用与优势

随着 AI 基础设施、电气化及工业自动化的快速发展，传统硅基方案在高频、高功率密度场景中逐渐逼近物理极限。GaNEXUS 凭借更快的开关速度与更低的开关损耗，有效应对能耗、热管理及系统尺寸的严峻挑战。

• 中低压应用（AI 服务器      48V 中间母线转换器 IBC、电池备用单元 BBU、电机驱动等）：磁性元件尺寸缩小约 30%–60%，功率密度提升约 1.5–2 倍，系统能效提升约 0.5%–2%（取决于拓扑结构）。

• 高压应用（AI 电源机架、高压 DC-DC、PFC 及      LLC 功率级等）：高频 AC-DC 与谐振级中磁性元件尺寸最多缩减约 60%，PFC/LLC 架构中功率密度提升约 1.5–2 倍，能效提升约 0.5%–1%，显著降低热应力与冷却需求。GaNEXUS Smart 器件通过集成保护功能简化功率级设计并提升可靠性。

GaNEXUS 器件采用增强散热封装，具备行业标准引脚布局并支持双源供货，包括 TOLL 底部散热、TOLT 顶部散热，以及 3.3mm×3.3mm 和 5mm×6mm 双面散热封装。

高管引言

安森美氮化镓事业部副总裁 Antoine Jalabert 表示："我们的 GaNEXUS 产品组合正在推动电源系统设计迈向全新架构。随着客户不断追求在更小空间内实现更大功率，GaNEXUS 为工程师提供了更大的灵活性，以突破传统电源架构的限制。"