外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。

随着台积电、英特尔、三星晶圆代工的先进逻辑制程在下半年拉高产能量产，半导体厂的12英寸硅晶圆库存已在第三季底调节至季节性正常水位。由于硅晶圆需求已在10月下旬回温，且明年7、5纳米逻辑制程、1z纳米DRAM及100层以上3D NAND等进入量产，对高端12英寸硅晶圆需求度高，法人看好环球晶圆、台胜科最坏情况已过，第四季起进入新的成长循环。

Dallas 半导体公司的数字化温度传感器DS1820是世界上第一片支持 “一线总线”接口的温度传感器。一线总线独特而且经济的特点，使用户可轻松地组建传感器网络，为测量系统的构建引入全新概念。现在，新一代的“DS1820”体积更小、更经济、更灵活。使您可以充分发挥“一线总线”的长处。DS18B20、DS1822 “一线总线”数字化温度传感器。

当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时，通常是较小的晶体管引起了人们的注意。但是连接晶体管形成电路的互连也必须收缩。

人工智能与大数据对芯片的处理能力提出了越来越严苛的要求，芯片的运算能力和存储能力正在成为瓶颈，这也是各家半导体公司竞相开发新的硬件平台、计算架构与设计路线，以期提升芯片性能的主要原因。MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等下一代存储器技术兴起，便是芯片与系统设计人员致力研发的重要成果之一。

7月13日报道，国际半导体设备与材料组织（SEMI）7月9日发布预测称，半导体​制造设备2019年的全球销售额将同比减少18％，降至527亿美元（1美元约合6.9元人民币）。半导体厂商正在抑制设备投资。本次发布的数据与2018年底的预期（596亿美元）相比出现下调。

眼下的存储市场正处于多种技术路线并行迭代的关键时期。一方面，应用极为广泛的DRAM和NAND Flash，是目前存储市场上当之无愧的主流产品，但都面临制程持续微缩的物理极限挑战，未来持续提升性能与降低成本变得更加困难。另一方面，3D XPoint、MRAM（磁阻式随机存取存储器）、RRAM（可变电阻式存储器）等下一代存储技术加快开发并且进入市场应用，但尚未实现规模化与标准化，成本过高成为其入市的主要阻碍。下一代存储器何时方能实现规模化发展成为业界关注的焦点之一。

今日，首届软件定义存储峰会在深圳隆重举行。以“软件定义存储未来”为主题，本次峰会邀请到业内数百位领军企业软件定义存储领域的专家及行业用户共聚一堂，深入解读在云计算、人工智能等技术应用迅速发展，数据爆炸式增长的复杂IT环境下，企业如何借助软件定义存储这一技术趋势，推动数字化转型，提升运营效率。